Справочник MOSFET. OSG65R290DEF

 

OSG65R290DEF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OSG65R290DEF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 74.1 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для OSG65R290DEF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG65R290DEF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:972K  oriental semi
osg65r290def.pdfpdf_icon

OSG65R290DEF

 ..2. Size:991K  oriental semi
osg65r290fef osg65r290def osg65r290kef.pdfpdf_icon

OSG65R290DEF

OSG65R290xEF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger EMI and performance balanced OSG65R290FEF, OSG65R290DEF, OSG65R290KEF , Enhancement Mode N-Channel

 4.1. Size:1036K  oriental semi
osg65r290df.pdfpdf_icon

OSG65R290DEF

 5.1. Size:1008K  oriental semi
osg65r290pf.pdfpdf_icon

OSG65R290DEF

Другие MOSFET... OSG60R180HSF , OSG60R180KSF , OSG60R580FTF , OSG65R1K4AF , OSG65R1K4DF , OSG65R1K4FF , OSG65R1K4PF , OSG65R260FSF_NB , 60N06 , OSG65R290FEF , OSG65R290KEF , OSG65R360DTF , OSG65R380DEF , OSG65R380FEF , OSG65R580DEF , OSG65R900DTF , OSG70R600FF .

History: WM10N33M | TK19H50C

 

 
Back to Top

 


 
.