Справочник MOSFET. OSG80R250FF

 

OSG80R250FF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: OSG80R250FF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 41.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 136 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для OSG80R250FF

 

 

OSG80R250FF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:858K  oriental semi
osg80r250ff.pdf

OSG80R250FF
OSG80R250FF

 5.1. Size:844K  oriental semi
osg80r250kf.pdf

OSG80R250FF
OSG80R250FF

 5.2. Size:858K  oriental semi
osg80r250pf.pdf

OSG80R250FF
OSG80R250FF

 5.3. Size:865K  oriental semi
osg80r250hf.pdf

OSG80R250FF
OSG80R250FF

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top