2SK2135. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK2135

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 540 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для 2SK2135

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK2135 даташит

 ..1. Size:435K  1
 2sk2135.pdf pdf_icon

2SK2135

 8.1. Size:419K  1
 2sk2132.pdf pdf_icon

2SK2135

 8.2. Size:447K  1
 2sk2136.pdf pdf_icon

2SK2135

 8.3. Size:124K  1
 2sk2137.pdf pdf_icon

2SK2135

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK2137 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION PACKAGE DIMENSIONS The 2SK2137 is N-Channel MOS Field Effect Transistor de- (in millimeters) signed for high voltage switching applications. 10.0 0.3 4.5 0.2 3.2 0.2 2.7 0.2 FEATURES Low On-Resistance 2SK2137 RDS(on) = 2.4 (VGS = 10 V, ID = 2.0 A) Low Cis

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK2109, 2SK2110, 2SK2111, 2SK2112, 2SK2131, 2SK2132, 2SK2133, 2SK2134, IRFB3607, 2SK2136, 2SK2137, 2SK2138, 2SK2139, 2SK2140, 2SK2141, 2SK2157, 2SK2158