Справочник MOSFET. SFG10S10PF

 

SFG10S10PF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SFG10S10PF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 28.9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 322 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для SFG10S10PF

 

 

SFG10S10PF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:819K  oriental semi
sfg10s10pf.pdf

SFG10S10PF SFG10S10PF

 6.1. Size:866K  oriental semi
sfg10s10df.pdf

SFG10S10PF SFG10S10PF

 6.2. Size:826K  oriental semi
sfg10s10gf.pdf

SFG10S10PF SFG10S10PF

 7.1. Size:921K  oriental semi
sfg10s12bf.pdf

SFG10S10PF SFG10S10PF

 7.2. Size:868K  oriental semi
sfg10s12df.pdf

SFG10S10PF SFG10S10PF

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top