Справочник MOSFET. PSA04N65B

 

PSA04N65B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PSA04N65B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для PSA04N65B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PSA04N65B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:658K  pipsemi
 psa04n65b.pdf pdf_icon

PSA04N65B

PSA04N65B 650V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID RoHS Compliant 650V 1.9 4.0A RDS(ON),typ.=1.9 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Standby Power G D S Ordering Information TO-220F Part Number Package Brand Package No to Scale PSA0

Другие MOSFET... SFG10S10PF , SFS06R03DF , SFS06R03PF , SFS06R06DF , SFS06R06PF , F501D , PIP8205-S8 , PIP8205-Z6 , IRF640 , PSA06N40 , PSP06N40 , PSA07N65 , PSA10N60C , PSA10N65C , PSA13N50 , PSP13N50 , PSP06N70 .

History: STP23N80K5 | WPM1483

 

 
Back to Top

 


 
.