PSA04N65B - описание и поиск аналогов

 

PSA04N65B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PSA04N65B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для PSA04N65B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PSA04N65B даташит

 ..1. Size:658K  pipsemi
 psa04n65b.pdf pdf_icon

PSA04N65B

PSA04N65B 650V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID RoHS Compliant 650V 1.9 4.0A RDS(ON),typ.=1.9 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Standby Power G D S Ordering Information TO-220F Part Number Package Brand Package No to Scale PSA0

Другие MOSFET... SFG10S10PF , SFS06R03DF , SFS06R03PF , SFS06R06DF , SFS06R06PF , F501D , PIP8205-S8 , PIP8205-Z6 , IRFP460 , PSA06N40 , PSP06N40 , PSA07N65 , PSA10N60C , PSA10N65C , PSA13N50 , PSP13N50 , PSP06N70 .

History: 2SJ154 | HU840U | JMSH0602AE | 2N4393C1B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.