Справочник MOSFET. STV50N06

 

STV50N06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STV50N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm
   Тип корпуса: SO10

 Аналог (замена) для STV50N06

 

 

STV50N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:320K  st
stv50n06.pdf

STV50N06
STV50N06

 7.1. Size:332K  st
stv50n05.pdf

STV50N06
STV50N06

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top