STV50N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STV50N06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm
Тип корпуса: SO10
- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам
STV50N06 Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... STV36N06 , STV3NA80 , STV40N05 , STV40N10 , STV4N100 , STV4NA60 , STV4NA80 , STV50N05 , NCEP15T14 , STV55N05L , STV55N06L , STV5NA50 , STV5NA80 , STV60N03L-12 , STV60N05 , STV60N05-16 , STV60N06 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ11DN10A | JMTQ100P03A | JMTQ100N04A | JMTQ100N03D | JMTQ100N03A | JMTK90N02A | JMTK80N06A | JMTK75N02A | JMTK70N07A | JMTK60N04B | JMTK58N06B | JMTK50P03A | JMTK50P02A | JMTK50N06B | JMTK50N03A | JMTK500N10A
Popular searches
irfp450 equivalent | 2sb649 | 2sb324 transistor | b754 transistor | 2sc828 equivalent | 4843ns | 2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet