STV50N06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STV50N06  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm

Тип корпуса: SO10

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для STV50N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STV50N06 даташит

 ..1. Size:320K  st
 stv50n06.pdf pdf_icon

STV50N06

 7.1. Size:332K  st
 stv50n05.pdf pdf_icon

STV50N06

Другие IGBT... STV36N06, STV3NA80, STV40N05, STV40N10, STV4N100, STV4NA60, STV4NA80, STV50N05, IRF1405, STV55N05L, STV55N06L, STV5NA50, STV5NA80, STV60N03L-12, STV60N05, STV60N05-16, STV60N06