Справочник MOSFET. PSP10N70

 

PSP10N70 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PSP10N70
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 218 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для PSP10N70

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PSP10N70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:696K  pipsemi
 psp10n70 psa10n70.pdf pdf_icon

PSP10N70

PSP10N70 PSA10N70 700V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID RoHS Compliant 700V 0.80 10A RDS(ON),typ.=0.80 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger G D S G D SMPS Standby Power S Ordering Information TO-220 TO-220F Part Number Package Brand

Другие MOSFET... PSP06N40 , PSA07N65 , PSA10N60C , PSA10N65C , PSA13N50 , PSP13N50 , PSP06N70 , PSA06N70 , P55NF06 , PSA10N70 , PSU04N65B , PSD04N65B , PSU07N65 , PSD07N65 , PTA04N100 , PTA04N80 , PTA05N65 .

History: S80N10R | IRLML5203PBF-1 | IRLB3813PBF

 

 
Back to Top

 


 
.