Справочник MOSFET. PSP10N70

 

PSP10N70 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PSP10N70
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 218 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PSP10N70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:696K  pipsemi
 psp10n70 psa10n70.pdf pdf_icon

PSP10N70

PSP10N70 PSA10N70 700V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID RoHS Compliant 700V 0.80 10A RDS(ON),typ.=0.80 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger G D S G D SMPS Standby Power S Ordering Information TO-220 TO-220F Part Number Package Brand

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: PSMN020-30MLC | 75309D | 2SK3572-Z | APT5024BLL | TSM4431CS | UFZ24NL-TN3 | FDMS86102LZ

 

 
Back to Top

 


 
.