STV55N05L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: STV55N05L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 55 nC
   trⓘ - Время нарастания: 950 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm
   Тип корпуса: SO10

Другие MOSFET... STV3NA80 , STV40N05 , STV40N10 , STV4N100 , STV4NA60 , STV4NA80 , STV50N05 , STV50N06 , CEP83A3 , STV55N06L , STV5NA50 , STV5NA80 , STV60N03L-12 , STV60N05 , STV60N05-16 , STV60N06 , STV6NA60 .