STV55N05L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: STV55N05L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 55 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 950 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm
   Тип корпуса: SO10
     - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам