PTP04N04A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTP04N04A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 206 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTP04N04A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTP04N04A даташит

 ..1. Size:577K  pipsemi
 ptp04n04a.pdf pdf_icon

PTP04N04A

PTP04N04A 40V N-Channel Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 40V 4.0m 206A RDS(ON),typ.=4.0m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications DC-DC Converters DC-AC Inverters G Power Supply D S TO-220 Ordering Information Part Number Package Brand Package No to

 6.1. Size:865K  pipsemi
 ptp04n04n.pdf pdf_icon

PTP04N04A

PTP04N04N 40V N-Channel Trench MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Trench Technology 40V 3.0m 206A RDS(ON),typ.=3.0m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications DC-DC Converters DC-AC Inverters G Power Supply D S TO-220 Ordering Information Package No to Scale Part Number Packag

Другие IGBT... PTF12N90, PTF27N80, PTH03N150, PTA03N150, PTP01N04N, PTP02N03N, PTP02N04N, PTP02N04NB, 5N65, PTP08N06N, PTP08N06NB, PTP08N08NA, PTP08N65, PTA08N65, PTP09N50, PTA09N50, PTP09N90