PTP04N04A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PTP04N04A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 206 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для PTP04N04A
PTP04N04A Datasheet (PDF)
ptp04n04a.pdf
PTP04N04A 40V N-Channel Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 40V 4.0m 206A RDS(ON),typ.=4.0m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications DC-DC Converters DC-AC Inverters G Power Supply D S TO-220 Ordering Information Part Number Package Brand Package No to
ptp04n04n.pdf
PTP04N04N 40V N-Channel Trench MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Trench Technology 40V 3.0m 206A RDS(ON),typ.=3.0m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications DC-DC Converters DC-AC Inverters G Power Supply D S TO-220 Ordering Information Package No to Scale Part Number Packag
Другие MOSFET... PTF12N90 , PTF27N80 , PTH03N150 , PTA03N150 , PTP01N04N , PTP02N03N , PTP02N04N , PTP02N04NB , 5N65 , PTP08N06N , PTP08N06NB , PTP08N08NA , PTP08N65 , PTA08N65 , PTP09N50 , PTA09N50 , PTP09N90 .
History: AON7702A | PJU4NA65 | CM697 | AON7702B
History: AON7702A | PJU4NA65 | CM697 | AON7702B
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM608C | AGM6080D | AGM6080C | AGM6070A | AGM606S | AGM605Q | AGM605F | AGM605C | AGM605A | AGM603F | AGM603D | AGM603C | AGM6035F | AGM6035A | AGM602C | AGM40P75D
Popular searches
ksc3503 | c945 transistor datasheet | bt137 datasheet | 2n2907a datasheet | irfz24n | bd135 | d880 | 2n5457 equivalent



