Справочник MOSFET. PTP08N65

 

PTP08N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTP08N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для PTP08N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTP08N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:569K  pipsemi
ptp08n65 pta08n65.pdfpdf_icon

PTP08N65

PTP08N65PTA08N65N-Channel MOSFET PbLead Free Package and FinishApplications:VDSS RDS(ON) (Typ.) ID Adaptor Charger650 V 0.85 8 A SMPS Power Supply LCD Panel PowerDFeatures: RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width CurveGGGOrdering InformationDSDS TO-220FTO-220 SPART NUMBER PACKAGE

 8.1. Size:472K  pipsemi
ptp08n06nb.pdfpdf_icon

PTP08N65

PTP08N06NB 60V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID[2] Proprietary New Trench Technology 60V 6.1m 105A RDS(ON),typ.=6.1 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Converters Synchronous Rectification G UPS Inverter D S TO-220 Ordering Information Part Number Packag

 8.2. Size:538K  pipsemi
ptp08n06n.pdfpdf_icon

PTP08N65

PTP08N06N PbLead Free Package and FinishApplications:a Power SupplyVDSS RDS(ON)(MAX) ID DC-DC Converters110A60V 8m Features: Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Charge for Fast Switching Application Optimized BVDSS CapabilityG DS TO-220 Ordering InformationPackage BrandPart Number Package

 8.3. Size:1447K  pipsemi
ptp08n08na.pdfpdf_icon

PTP08N65

PTP08N08NA Pb Lead Free Package 85V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID[2] Proprietary New Trench Technology 85V 6.9m 105A RDS(ON),typ.=6.9 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Converters Synchronous Rectification G UPS Inverter D S TO-220 Ordering Informa

Другие MOSFET... PTP01N04N , PTP02N03N , PTP02N04N , PTP02N04NB , PTP04N04A , PTP08N06N , PTP08N06NB , PTP08N08NA , AO4407 , PTA08N65 , PTP09N50 , PTA09N50 , PTP09N90 , PTA09N90 , PTP10N40B , PTA10N40B , PTP10N80 .

History: 2SK1012-01 | STF28NM50N | HAT2279N | 1N65L-K08-5060-R | CEDM8004 | HGK020N10S | SVF18NE50PN

 

 
Back to Top

 


 
.