Справочник MOSFET. PTP08N65

 

PTP08N65 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PTP08N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 15 ns
   Выходная емкость (Cd): 110 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для PTP08N65

 

 

PTP08N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:569K  pipsemi
ptp08n65 pta08n65.pdf

PTP08N65 PTP08N65

PTP08N65PTA08N65N-Channel MOSFET PbLead Free Package and FinishApplications:VDSS RDS(ON) (Typ.) ID Adaptor Charger650 V 0.85 8 A SMPS Power Supply LCD Panel PowerDFeatures: RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width CurveGGGOrdering InformationDSDS TO-220FTO-220 SPART NUMBER PACKAGE

 8.1. Size:472K  pipsemi
ptp08n06nb.pdf

PTP08N65 PTP08N65

PTP08N06NB 60V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID[2] Proprietary New Trench Technology 60V 6.1m 105A RDS(ON),typ.=6.1 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Converters Synchronous Rectification G UPS Inverter D S TO-220 Ordering Information Part Number Packag

 8.2. Size:538K  pipsemi
ptp08n06n.pdf

PTP08N65 PTP08N65

PTP08N06N PbLead Free Package and FinishApplications:a Power SupplyVDSS RDS(ON)(MAX) ID DC-DC Converters110A60V 8m Features: Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Charge for Fast Switching Application Optimized BVDSS CapabilityG DS TO-220 Ordering InformationPackage BrandPart Number Package

 8.3. Size:1447K  pipsemi
ptp08n08na.pdf

PTP08N65 PTP08N65

PTP08N08NA Pb Lead Free Package 85V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID[2] Proprietary New Trench Technology 85V 6.9m 105A RDS(ON),typ.=6.9 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Converters Synchronous Rectification G UPS Inverter D S TO-220 Ordering Informa

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top