Справочник MOSFET. PTP08N65

 

PTP08N65 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PTP08N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 28 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для PTP08N65

 

 

PTP08N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:569K  pipsemi
 ptp08n65 pta08n65.pdf

PTP08N65 PTP08N65

PTP08N65PTA08N65N-Channel MOSFET PbLead Free Package and FinishApplications:VDSS RDS(ON) (Typ.) ID Adaptor Charger650 V 0.85 8 A SMPS Power Supply LCD Panel PowerDFeatures: RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width CurveGGGOrdering InformationDSDS TO-220FTO-220 SPART NUMBER PACKAGE

 8.1. Size:472K  pipsemi
 ptp08n06nb.pdf

PTP08N65 PTP08N65

PTP08N06NB 60V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID[2] Proprietary New Trench Technology 60V 6.1m 105A RDS(ON),typ.=6.1 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Converters Synchronous Rectification G UPS Inverter D S TO-220 Ordering Information Part Number Packag

 8.2. Size:538K  pipsemi
 ptp08n06n.pdf

PTP08N65 PTP08N65

PTP08N06N PbLead Free Package and FinishApplications:a Power SupplyVDSS RDS(ON)(MAX) ID DC-DC Converters110A60V 8m Features: Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Charge for Fast Switching Application Optimized BVDSS CapabilityG DS TO-220 Ordering InformationPackage BrandPart Number Package

 8.3. Size:1447K  pipsemi
 ptp08n08na.pdf

PTP08N65 PTP08N65

PTP08N08NA Pb Lead Free Package 85V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID[2] Proprietary New Trench Technology 85V 6.9m 105A RDS(ON),typ.=6.9 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Converters Synchronous Rectification G UPS Inverter D S TO-220 Ordering Informa

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top