Справочник MOSFET. PTA08N65

 

PTA08N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTA08N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для PTA08N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTA08N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:569K  pipsemi
 ptp08n65 pta08n65.pdf pdf_icon

PTA08N65

PTP08N65PTA08N65N-Channel MOSFET PbLead Free Package and FinishApplications:VDSS RDS(ON) (Typ.) ID Adaptor Charger650 V 0.85 8 A SMPS Power Supply LCD Panel PowerDFeatures: RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width CurveGGGOrdering InformationDSDS TO-220FTO-220 SPART NUMBER PACKAGE

 8.1. Size:392K  pipsemi
 pta08n100.pdf pdf_icon

PTA08N65

PTA08N100 1000V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID RoHS Compliant 1000V 1.2 8.0A RDS(ON),typ.=1.2 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger G SMPS Standby Power D S Ordering Information TO-220F Part Number Package Brand Package No to Scale PTA08N100 TO-220F Ab

Другие MOSFET... PTP02N03N , PTP02N04N , PTP02N04NB , PTP04N04A , PTP08N06N , PTP08N06NB , PTP08N08NA , PTP08N65 , IRLB4132 , PTP09N50 , PTA09N50 , PTP09N90 , PTA09N90 , PTP10N40B , PTA10N40B , PTP10N80 , PTA10N80 .

History: NCE70T680F | AP9435GP-HF | TPB70R950C | FDP8N50NZU | CS10N60A8HD | RS1G120MN | NTMFS4939NT1G

 

 
Back to Top

 


 
.