PTA08N65 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PTA08N65
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 28 nC
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 110 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.3 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
PTA08N65 Datasheet (PDF)
ptp08n65 pta08n65.pdf
PTP08N65PTA08N65N-Channel MOSFET PbLead Free Package and FinishApplications:VDSS RDS(ON) (Typ.) ID Adaptor Charger650 V 0.85 8 A SMPS Power Supply LCD Panel PowerDFeatures: RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width CurveGGGOrdering InformationDSDS TO-220FTO-220 SPART NUMBER PACKAGE
pta08n100.pdf
PTA08N100 1000V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID RoHS Compliant 1000V 1.2 8.0A RDS(ON),typ.=1.2 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger G SMPS Standby Power D S Ordering Information TO-220F Part Number Package Brand Package No to Scale PTA08N100 TO-220F Ab
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
