PTA08N65 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTA08N65  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTA08N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTA08N65 даташит

 ..1. Size:569K  pipsemi
 ptp08n65 pta08n65.pdf pdf_icon

PTA08N65

PTP08N65 PTA08N65 N-Channel MOSFET Pb Lead Free Package and Finish Applications VDSS RDS(ON) (Typ.) ID Adaptor Charger 650 V 0.85 8 A SMPS Power Supply LCD Panel Power D Features RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve G G G Ordering Information DS DS TO-220F TO-220 S PART NUMBER PACKAGE

 8.1. Size:392K  pipsemi
 pta08n100.pdf pdf_icon

PTA08N65

PTA08N100 1000V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID RoHS Compliant 1000V 1.2 8.0A RDS(ON),typ.=1.2 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger G SMPS Standby Power D S Ordering Information TO-220F Part Number Package Brand Package No to Scale PTA08N100 TO-220F Ab

Другие IGBT... PTP02N03N, PTP02N04N, PTP02N04NB, PTP04N04A, PTP08N06N, PTP08N06NB, PTP08N08NA, PTP08N65, CS150N03A8, PTP09N50, PTA09N50, PTP09N90, PTA09N90, PTP10N40B, PTA10N40B, PTP10N80, PTA10N80