PTA09N50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PTA09N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 28 nC
Время нарастания (tr): 32 ns
Выходная емкость (Cd): 130 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.75 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
PTA09N50 Datasheet (PDF)
ptp09n50 pta09n50.pdf
PTP09N50 PTA09N50 500V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology500V 0.55 9A RDS(ON),typ.=0.55 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Power Supply LCD Panel Power Ordering Information Part Number Package Brand PTP09N50
pta09n45.pdf
PTA09N45 450V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 450V 0.48 9A RDS(ON),typ.=0.48 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Ballast and Lighting DC-AC Inverter G D Other Applications S Ordering Information TO-220F Part Number Package Brand Package No
ptp09n90 pta09n90.pdf
PTP09N90 PTA09N90 900V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 900V 1.2 9A RDS(ON),typ.=1.2 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Power Supply LCD Panel Power Ordering Information Part Number Package Brand PTP09N90 TO-220 PTA09N90
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
