Справочник MOSFET. PTA10N80

 

PTA10N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTA10N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.15 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для PTA10N80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTA10N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:909K  pipsemi
 ptp10n80 pta10n80.pdf pdf_icon

PTA10N80

PTP10N80 PTA10N80 800V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 800V 1.0 10A RDS(ON),typ.=1.0 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications ATX Power G LCD Panel Power D S G D S Ordering Information Part Number Package Brand TO-220 TO-220F

 8.1. Size:827K  pipsemi
 ptp10n40b pta10n40b.pdf pdf_icon

PTA10N80

PTP10N40B PTA10N40B 400V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 400V 0.45 10A RDS(ON),typ.=0.45 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Ballast and Lighting DC-AC Inverter G D S G D Other Applications S Ordering Information TO-220 TO-220F Part Number

Другие MOSFET... PTA08N65 , PTP09N50 , PTA09N50 , PTP09N90 , PTA09N90 , PTP10N40B , PTA10N40B , PTP10N80 , 10N65 , PTP11N08A , PTP11N40 , PTA11N40 , PTP11N45 , PTA11N45 , PTP12N60 , PTA12N60 , PTP12N65 .

History: AP80SL650AI | 2SK3604-01S

 

 
Back to Top

 


 
.