Справочник MOSFET. PTA12N60

 

PTA12N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTA12N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для PTA12N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTA12N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:684K  pipsemi
ptp12n60 pta12n60.pdfpdf_icon

PTA12N60

PTP12N60 PTA12N60 600V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID RoHS Compliant 600V 0.55 12A RDS(ON),typ.=0.55 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger G D S G D SMPS Standby Power S Ordering Information TO-220 TO-220F Part Number Package Brand

 7.1. Size:571K  pipsemi
ptp12n65 pta12n65.pdfpdf_icon

PTA12N60

PTP12N65 PTA12N65 650V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID RoHS Compliant 650V 0.60 12A RDS(ON),typ.=0.60 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger G D S G D SMPS Standby Power S Ordering Information TO-220 TO-220F Part Number Package Brand

Другие MOSFET... PTP10N80 , PTA10N80 , PTP11N08A , PTP11N40 , PTA11N40 , PTP11N45 , PTA11N45 , PTP12N60 , IRFZ46N , PTP12N65 , PTA12N65 , PTP13N50B , PTA13N50B , PTP13N60 , PTA13N60 , PTP13N65 , PTA13N65 .

History: IPB065N10N3 | CS5N65A4 | 2SK2035 | QM3010B | LSGG06R034W3

 

 
Back to Top

 


 
.