Справочник MOSFET. PTP15N50

 

PTP15N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTP15N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PTP15N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:395K  pipsemi
 ptp15n50 pta15n50.pdf pdf_icon

PTP15N50

PTP15N50 PTA15N50 500V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology500V 0.33 15A RDS(ON),typ.=0.33 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor TV Main Power SMPS Power Supply LCD Panel Power Ordering Information Part Number Package Bran

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SQJ474EP | STP80NE03L-06

 

 
Back to Top

 


 
.