PTP15N50 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTP15N50  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTP15N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTP15N50 даташит

 ..1. Size:395K  pipsemi
 ptp15n50 pta15n50.pdf pdf_icon

PTP15N50

PTP15N50 PTA15N50 500V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 500V 0.33 15A RDS(ON),typ.=0.33 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor TV Main Power SMPS Power Supply LCD Panel Power Ordering Information Part Number Package Bran

Другие IGBT... PTP13N50B, PTA13N50B, PTP13N60, PTA13N60, PTP13N65, PTA13N65, PTP14508E, PTB14508E, 75N75, PTA15N50, PTP16N06N, PTL16N06N, PTP16N60, PTA16N60, PTP16N65, PTA16N65, PTP18N20A