PTW09N90 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTW09N90  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTW09N90

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTW09N90 даташит

 ..1. Size:875K  pipsemi
 ptw09n90.pdf pdf_icon

PTW09N90

PTW09N90 900V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 900V 1.12 9A RDS(ON),typ.=1.12 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Power Supply LCD Panel Power Ordering Information Part Number Package Brand PTW09N90 TO-3P Absolute Maximum Rat

Другие IGBT... PTA20N65A, PTP20N70A, PTA20N70A, PTP23N10A, PTP40N20, PTP540, PTP9506E, PTB9506E, IRF840, PTW20N50A, PTW28N50, PTW30N50EL, PTW36N60, PTW50N20, PTW69N30, PTW90N20, SPTA60R130E