Справочник MOSFET. PTW09N90

 

PTW09N90 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTW09N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для PTW09N90

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTW09N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:875K  pipsemi
 ptw09n90.pdf pdf_icon

PTW09N90

PTW09N90 900V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 900V 1.12 9A RDS(ON),typ.=1.12 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Power Supply LCD Panel Power Ordering Information Part Number Package Brand PTW09N90 TO-3P Absolute Maximum Rat

Другие MOSFET... PTA20N65A , PTP20N70A , PTA20N70A , PTP23N10A , PTP40N20 , PTP540 , PTP9506E , PTB9506E , IRF840 , PTW20N50A , PTW28N50 , PTW30N50EL , PTW36N60 , PTW50N20 , PTW69N30 , PTW90N20 , SPTA60R130E .

History: S80N10R | IRLML5203PBF-1 | SQJ158EP

 

 
Back to Top

 


 
.