PTW30N50EL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTW30N50EL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 114 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTW30N50EL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTW30N50EL даташит

 ..1. Size:750K  pipsemi
 ptw30n50el.pdf pdf_icon

PTW30N50EL

PTW30N50EL 500V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 500V 150m 30A RDS(ON),typ.=150 m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver Electric Welder High Efficiency SMPS Ordering Information Part Number Package Brand PTW30N5

Другие IGBT... PTP23N10A, PTP40N20, PTP540, PTP9506E, PTB9506E, PTW09N90, PTW20N50A, PTW28N50, IRF540, PTW36N60, PTW50N20, PTW69N30, PTW90N20, SPTA60R130E, SPTA65R350E, SPTP65R160, SPTA65R160