PTW30N50EL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PTW30N50EL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 114 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
Тип корпуса: TO-3P
Аналог (замена) для PTW30N50EL
PTW30N50EL Datasheet (PDF)
ptw30n50el.pdf

PTW30N50EL 500V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 500V 150m 30A RDS(ON),typ.=150 m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver Electric Welder High Efficiency SMPS Ordering Information Part Number Package Brand PTW30N5
Другие MOSFET... PTP23N10A , PTP40N20 , PTP540 , PTP9506E , PTB9506E , PTW09N90 , PTW20N50A , PTW28N50 , IRF540N , PTW36N60 , PTW50N20 , PTW69N30 , PTW90N20 , SPTA60R130E , SPTA65R350E , SPTP65R160 , SPTA65R160 .
History: STD130N4F6AG | APT20M34BLL | R6035KNZ1 | ALD1106SBL | CS10N60P | FQPF10N60CT | IRLML2402TRPBF
History: STD130N4F6AG | APT20M34BLL | R6035KNZ1 | ALD1106SBL | CS10N60P | FQPF10N60CT | IRLML2402TRPBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
ac127 transistor | a42 transistor | bc547c | 2sa726 | 2sd313 | 2sc536 | d718 transistor | irfp250n datasheet