Справочник MOSFET. PTW30N50EL

 

PTW30N50EL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTW30N50EL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 114 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTW30N50EL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:750K  pipsemi
 ptw30n50el.pdf pdf_icon

PTW30N50EL

PTW30N50EL 500V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 500V 150m 30A RDS(ON),typ.=150 m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver Electric Welder High Efficiency SMPS Ordering Information Part Number Package Brand PTW30N5

Другие MOSFET... PTP23N10A , PTP40N20 , PTP540 , PTP9506E , PTB9506E , PTW09N90 , PTW20N50A , PTW28N50 , IRF540N , PTW36N60 , PTW50N20 , PTW69N30 , PTW90N20 , SPTA60R130E , SPTA65R350E , SPTP65R160 , SPTA65R160 .

History: SFG10R12PF | FDBL86063-F085

 

 
Back to Top

 


 
.