PTW50N20 - аналоги и даташиты транзистора

 

PTW50N20 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PTW50N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для PTW50N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTW50N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:868K  pipsemi
 ptw50n20.pdf pdf_icon

PTW50N20

PTW50N20 200V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 200V 40m 50A RDS(ON),typ.=40m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor TV Main Power SMPS Power Supply LCD Panel Power Ordering Information Part Number Package Brand PTW50

Другие MOSFET... PTP540 , PTP9506E , PTB9506E , PTW09N90 , PTW20N50A , PTW28N50 , PTW30N50EL , PTW36N60 , IRF640 , PTW69N30 , PTW90N20 , SPTA60R130E , SPTA65R350E , SPTP65R160 , SPTA65R160 , RU1H150R , RU1H150S .

History: FIR19N20LG | SI2323CDS-T1-GE3 | FHP3710C | BLM3401 | SFW9640 | NTMD4820N | IRFS3806

 

 
Back to Top

 


 
.