PTW50N20 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PTW50N20
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 210 nC
Время нарастания (tr): 35 ns
Выходная емкость (Cd): 660 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.05 Ohm
Тип корпуса: TO-3P
PTW50N20 Datasheet (PDF)
..1. Size:868K pipsemi
ptw50n20.pdf
ptw50n20.pdf
PTW50N20 200V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 200V 40m 50A RDS(ON),typ.=40m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor TV Main Power SMPS Power Supply LCD Panel Power Ordering Information Part Number Package Brand PTW50
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: JFAM20N60C
