Справочник MOSFET. RU1H150S

 

RU1H150S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU1H150S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 288 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 108 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для RU1H150S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU1H150S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:372K  ruichips
 ru1h150s.pdf pdf_icon

RU1H150S

RU1H150SN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 108V/150A, RDS (ON) =3.5m(Typ.)@VGS=10VD Advanced HEFET Technology Ultra Low On-Resistance Excellent QgxRDS(on) Product 100% avalanche tested100% l h t t d 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO263DDDDDDDApplicat

 7.1. Size:431K  ruichips
 ru1h150r.pdf pdf_icon

RU1H150S

RU1H150RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 108V/150A, RDS (ON) =3.5m(Typ.)@VGS=10V Advanced HEFET Technology Ultra Low On-Resistance Excellent QgxRDS(on) Product 100% avalanche tested100% l h t t d 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220DDDDDDDApplicat

 9.1. Size:292K  ruichips
 ru1h130q.pdf pdf_icon

RU1H150S

RU1H130QN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description100V/130A, RDS (ON) =7m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO247DApplications High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS High Speed Power SwitchingGSN-Chan

 9.2. Size:321K  ruichips
 ru1h130r.pdf pdf_icon

RU1H150S

RU1H130RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description100V/130A, RDS (ON) =7m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220DApplications High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS High Speed Power SwitchingGSN-Chan

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PTW50N20 , PTW69N30 , PTW90N20 , SPTA60R130E , SPTA65R350E , SPTP65R160 , SPTA65R160 , RU1H150R , IRF3710 , RU206B , RU207C , RU20C10H , RU20P4C6 , RU20P7C , RU30120R , RU3060L , RU3080L .

History: GSM4435 | 60N10B | SFS06R02DF | SUD70090E | SRC60R078BTF | WMM80R480S | 2SK3642-ZK

 

 
Back to Top

 


 
.