Справочник MOSFET. RU20P7C

 

RU20P7C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU20P7C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для RU20P7C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU20P7C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:415K  ruichips
ru20p7c.pdfpdf_icon

RU20P7C

RU20P7CP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -20V/-5A, RDS (ON) =20m(Typ.)@VGS=-4.5VD RDS (ON) =30m(Typ.)@VGS=-2.5V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSSOT23-3DDDDDDDApplicationspp Load Switch

 0.1. Size:393K  ruichips
ru20p7c-i.pdfpdf_icon

RU20P7C

RU20P7C-IP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -20V/-5A, RDS (ON) =20m(Typ.)@VGS=-4.5VD RDS (ON) =30m(Typ.)@VGS=-2.5V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSSOT23-3Applications Load Switch Power Management Battery ProtectionP-Cha

 9.1. Size:338K  ruichips
ru20p18l.pdfpdf_icon

RU20P7C

RU20P18LP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -20V/-18A, RDS (ON) =30m(Typ.)@VGS=-4.5V D RDS (ON) =45m(Typ.)@VGS=-2.5V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating TemperatureG Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)STO252DAp

 9.2. Size:327K  ruichips
ru20p5e.pdfpdf_icon

RU20P7C

RU20P5EP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -20V/-5A, RDS (ON) =50m(Typ.)@VGS=-4.5V RDS (ON) =65m(Typ.)@VGS=-3V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SDGSOT89DApplications Load Switch Power ManagementGSP-Channel MOSFETAbsolute M

Другие MOSFET... SPTP65R160 , SPTA65R160 , RU1H150R , RU1H150S , RU206B , RU207C , RU20C10H , RU20P4C6 , IRFP250N , RU30120R , RU3060L , RU3080L , RU3089M , RU3091M , RU30D20M2 , RU30D20M3 , RU30J30M .

History: IRF7465 | SQ9407EY-T1 | STFU10N80K5 | IRF7905 | MI4800 | 3N173 | WML07N65C2

 

 
Back to Top

 


 
.