RU30120R - описание и поиск аналогов

 

RU30120R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU30120R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 106 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для RU30120R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU30120R даташит

 ..1. Size:302K  ruichips
ru30120r.pdfpdf_icon

RU30120R

RU30120R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/120A, RDS (ON) =2.5m (Typ.) @ VGS=10V RDS (ON) =3.3m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ra

 7.1. Size:317K  ruichips
ru30120s.pdfpdf_icon

RU30120R

RU30120S N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/120A, RDS (ON) =2.5m (Typ.)@VGS=10V D RDS (ON) =3.3m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% Avalanche Tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G S TO263 D Applications DC-DC Converters G S N-Channel MOSFET Absolute Maximum

 7.2. Size:276K  ruichips
ru30120l.pdfpdf_icon

RU30120R

RU30120L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/120A, RDS (ON) =2.5m (Typ.) @ VGS=10V RDS (ON) =3.3m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO252 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters N-Channel MOSFET Absolute Maximum Rat

 7.3. Size:557K  ruichips
ru30120m3.pdfpdf_icon

RU30120R

RU30120M3 N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/120A, RDS (ON) =1.8m (Typ.)@VGS=10V D D D RDS (ON) =2.3m (Typ.)@VGS=4.5V D Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Ultra Low On-Resistance G Fast Switching Speed S S 100% avalanche tested S Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) PIN1 DFN3030 D Applications Fast Ch

Другие MOSFET... SPTA65R160 , RU1H150R , RU1H150S , RU206B , RU207C , RU20C10H , RU20P4C6 , RU20P7C , 2N7000 , RU3060L , RU3080L , RU3089M , RU3091M , RU30D20M2 , RU30D20M3 , RU30J30M , RU30L70L .

History: IRF9243 | SM1A18NSQG | SVF4N65F

 

 

 

 

↑ Back to Top
.