RU30D20M2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RU30D20M2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 16 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: PDFN3333
Аналог (замена) для RU30D20M2
RU30D20M2 Datasheet (PDF)
ru30d20m2.pdf

RU30D20M2N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/20A, RDS (ON) =8.5m(Typ.)@VGS=10VD2D2D1D1 RDS (ON) =11.5m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Fast Switching Speed Low gate ChargeG2 100% avalanche testedS1G1S2 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) PIN1PIN1PDFN3333D1 D2Applications Switchi
ru30d20m3.pdf

RU30D20M3Dual N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/20A, RDS (ON) =8.5m(Typ.)@VGS=10VS2G2 RDS (ON) =11.5m(Typ.)@VGS=4.5V S1G1 Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Excellent QgxRDS(on) product(FOM) Reliable and RuggedD2 100% avalanche testedD2D1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)D1PIN1DFN303
ru30d10h.pdf

RU30D10HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/10A,RDS (ON) =16m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =24m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green AvailableSOP-8Applications SMPSDual N-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings (TA=25C Unles
ru30d8h.pdf

RU30D8HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/7A,RDS (ON) =18m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =45m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green AvailableSOP-8Applications SMPSDual N-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings (TA=25C Unless
Другие MOSFET... RU20C10H , RU20P4C6 , RU20P7C , RU30120R , RU3060L , RU3080L , RU3089M , RU3091M , IRF9540 , RU30D20M3 , RU30J30M , RU30L70L , RU30S15H , RU40190R , RU40191S , RU40C40L4 , RU6070L-A .
History: AP2329GN-HF | BSB017N03LX3G | BSS225 | AONL32328 | 2SK4213A-ZK | SMT5N60 | LP2301BLT1G
History: AP2329GN-HF | BSB017N03LX3G | BSS225 | AONL32328 | 2SK4213A-ZK | SMT5N60 | LP2301BLT1G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
k3569 | irf640 datasheet | c945 transistor equivalent | irfz44 datasheet | tip3055 transistor | irf530 datasheet | 2sc2625 | 2sc1815 transistor