Справочник MOSFET. RU30D20M2

 

RU30D20M2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU30D20M2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 16 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3333
 

 Аналог (замена) для RU30D20M2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU30D20M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:386K  ruichips
ru30d20m2.pdfpdf_icon

RU30D20M2

RU30D20M2N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/20A, RDS (ON) =8.5m(Typ.)@VGS=10VD2D2D1D1 RDS (ON) =11.5m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Fast Switching Speed Low gate ChargeG2 100% avalanche testedS1G1S2 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) PIN1PIN1PDFN3333D1 D2Applications Switchi

 6.1. Size:263K  ruichips
ru30d20m3.pdfpdf_icon

RU30D20M2

RU30D20M3Dual N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/20A, RDS (ON) =8.5m(Typ.)@VGS=10VS2G2 RDS (ON) =11.5m(Typ.)@VGS=4.5V S1G1 Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Excellent QgxRDS(on) product(FOM) Reliable and RuggedD2 100% avalanche testedD2D1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)D1PIN1DFN303

 9.1. Size:267K  ruichips
ru30d10h.pdfpdf_icon

RU30D20M2

RU30D10HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/10A,RDS (ON) =16m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =24m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green AvailableSOP-8Applications SMPSDual N-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings (TA=25C Unles

 9.2. Size:266K  ruichips
ru30d8h.pdfpdf_icon

RU30D20M2

RU30D8HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/7A,RDS (ON) =18m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =45m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green AvailableSOP-8Applications SMPSDual N-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings (TA=25C Unless

Другие MOSFET... RU20C10H , RU20P4C6 , RU20P7C , RU30120R , RU3060L , RU3080L , RU3089M , RU3091M , 7N65 , RU30D20M3 , RU30J30M , RU30L70L , RU30S15H , RU40190R , RU40191S , RU40C40L4 , RU6070L-A .

History: WMM15N65C4 | SIA465EDJ

 

 
Back to Top

 


 
.