Справочник MOSFET. RU6888

 

RU6888 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU6888
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 88 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO220 TO220F TO263 TO247
 

 Аналог (замена) для RU6888

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU6888 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:461K  ruichips
 ru6888.pdf pdf_icon

RU6888

RU6888N-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 68V/88A,RDS (ON) =6.0m (Type) @ VGS=10V Ultra Low On-ResistanceTO-220 TO-220F Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO-263 TO-247 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications Switching Applicat

 0.1. Size:303K  ruichips
 ru6888m.pdf pdf_icon

RU6888

RU6888M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/62A, RDS (ON) =7m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available PDFN5060 (RoHS Compliant) Applications Power Management. N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Uni

 0.2. Size:303K  ruichips
 ru6888r.pdf pdf_icon

RU6888

RU6888RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 68V/88A,RDS (ON) =6m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO-220 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications Switching Application Systems Inverte

 0.3. Size:295K  ruichips
 ru6888s.pdf pdf_icon

RU6888

RU6888SN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 68V/88A,RDS (ON) =6m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche testedTO-263 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications Switching Application Systems Inverte

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RU30L70L , RU30S15H , RU40190R , RU40191S , RU40C40L4 , RU6070L-A , RU6085H , RU6199S , 8205A , RU7080R , RU7080S , RU7088R , RU75N08 , RU75N08L , RU75N08S , RU8205BC6 , RU8590S .

History: WNM2077 | FDB2552F085

 

 
Back to Top

 


 
.