RU6888 - описание и поиск аналогов

 

RU6888. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU6888

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 68 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 88 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO220 TO220F TO263 TO247

Аналог (замена) для RU6888

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU6888 даташит

 ..1. Size:461K  ruichips
 ru6888.pdf pdf_icon

RU6888

RU6888 N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 68V/88A, RDS (ON) =6.0m (Type) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance TO-220 TO-220F Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-263 TO-247 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Available Applications Switching Applicat

 0.1. Size:303K  ruichips
 ru6888m.pdf pdf_icon

RU6888

RU6888M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/62A, RDS (ON) =7m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available PDFN5060 (RoHS Compliant) Applications Power Management. N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Uni

 0.2. Size:303K  ruichips
 ru6888r.pdf pdf_icon

RU6888

RU6888R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 68V/88A, RDS (ON) =6m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-220 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Available Applications Switching Application Systems Inverte

 0.3. Size:295K  ruichips
 ru6888s.pdf pdf_icon

RU6888

RU6888S N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 68V/88A, RDS (ON) =6m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested TO-263 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Available Applications Switching Application Systems Inverte

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RU30L70L , RU30S15H , RU40190R , RU40191S , RU40C40L4 , RU6070L-A , RU6085H , RU6199S , IRFP260 , RU7080R , RU7080S , RU7088R , RU75N08 , RU75N08L , RU75N08S , RU8205BC6 , RU8590S .

History: MSD30P06 | DMT8012LK3 | SM4033NHU | SPB80N06S2L-07 | FHP630A | 8N90A | LPN1010C

 

 

 

 

↑ Back to Top
.