RU7088R datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RU7088R  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 70 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для RU7088R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU7088R даташит

 ..1. Size:295K  ruichips
 ru7088r.pdf pdf_icon

RU7088R

RU7088R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 70V/80A, RDS (ON) =6.5m (Typ.)@VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO220 Applications Switching Application Syste

 ..2. Size:757K  cn vbsemi
 ru7088r.pdf pdf_icon

RU7088R

RU7088R www.VBsemi.tw N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY 175 C Junction Temperature VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a TrenchFET Power MOSFET 0.005 at VGS = 10 V 120 Material categorization 60 0.008 at VGS = 7.5 V 100 TO-220AB D G S N-Channel MOSFET G D S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Uni

 0.1. Size:450K  ruichips
 ru7088r3.pdf pdf_icon

RU7088R

RU7088R3 N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 70V/80A, Insulation Slug RDS (ON) =6.5m (Typ.)@VGS=10V Insulation Slug(VISO 1500VAC) Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated F t S it hi d F ll A l h R t d 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature S Lead Free and Gre

 8.1. Size:306K  ruichips
 ru7088a.pdf pdf_icon

RU7088R

RU7088A N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 65V/88A, RDS (ON) =6m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications The device is suitable for use in PWM ,load switching and general purpose applications. N-Channel

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RU40191S, RU40C40L4, RU6070L-A, RU6085H, RU6199S, RU6888, RU7080R, RU7080S, SKD502T, RU75N08, RU75N08L, RU75N08S, RU8205BC6, RU8590S, RUH1H150R, RUH30120M-C, RUH30150M