RU7088R - аналоги и даташиты транзистора

 

RU7088R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RU7088R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для RU7088R

 

RU7088R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:295K  ruichips
ru7088r.pdfpdf_icon

RU7088R

RU7088R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 70V/80A, RDS (ON) =6.5m (Typ.)@VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO220 Applications Switching Application Syste

 ..2. Size:757K  cn vbsemi
ru7088r.pdfpdf_icon

RU7088R

RU7088R www.VBsemi.tw N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY 175 C Junction Temperature VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a TrenchFET Power MOSFET 0.005 at VGS = 10 V 120 Material categorization 60 0.008 at VGS = 7.5 V 100 TO-220AB D G S N-Channel MOSFET G D S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Uni

 0.1. Size:450K  ruichips
ru7088r3.pdfpdf_icon

RU7088R

RU7088R3 N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 70V/80A, Insulation Slug RDS (ON) =6.5m (Typ.)@VGS=10V Insulation Slug(VISO 1500VAC) Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated F t S it hi d F ll A l h R t d 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature S Lead Free and Gre

 8.1. Size:306K  ruichips
ru7088a.pdfpdf_icon

RU7088R

RU7088A N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 65V/88A, RDS (ON) =6m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications The device is suitable for use in PWM ,load switching and general purpose applications. N-Channel

Другие MOSFET... RU40191S , RU40C40L4 , RU6070L-A , RU6085H , RU6199S , RU6888 , RU7080R , RU7080S , SKD502T , RU75N08 , RU75N08L , RU75N08S , RU8205BC6 , RU8590S , RUH1H150R , RUH30120M-C , RUH30150M .

History: NTP65N02R

 

 
Back to Top

 


 
.