Справочник MOSFET. RUH30120M-C

 

RUH30120M-C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RUH30120M-C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RUH30120M-C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:385K  ruichips
ruh30120m-c.pdfpdf_icon

RUH30120M-C

RUH30120M-CN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/120A,RDS (ON) =1.6m(Typ.)@VGS=10V DDDDRDS (ON) =2.0m(Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed 100% avalanche testedG Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SSSPIN1PIN1PDFN5060DApplications DC/DC Converters On board powe

 8.1. Size:384K  ruichips
ruh30150m.pdfpdf_icon

RUH30120M-C

RUH30150MN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/150A,RDS (ON) =0.9m(Typ.)@VGS=10V DDDDRDS (ON) =1.4m(Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed 100% avalanche testedG Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SSSPIN1PIN1PDFN5060DApplications DC/DC Converters On board power

 9.1. Size:286K  ruichips
ruh30j105m.pdfpdf_icon

RUH30120M-C

RUH30J105MDual Asymmetric N-Channel MOSFETFeatures Pin Description Die 1 30V/30ARDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =9m(Typ.)@VGS=4.5V Die 2 30V/120ARDS (ON) =2.2m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =3.0m(Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Uses Ruichips advanced SGT technology 100% avalanche testedPIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Com

 9.2. Size:286K  ruichips
ruh30j85m.pdfpdf_icon

RUH30120M-C

RUH30J85MDual Asymmetric N-Channel MOSFETFeatures Pin Description Die 1 30V/30ARDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =9m(Typ.)@VGS=4.5V Die 2 30V/90ARDS (ON) =3.5m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =5m(Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Uses Ruichips advanced SGT technology 100% avalanche testedPIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Complia

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: HAT2165N | SDF07N50T | FDB9406L-F085 | HIRF830 | IPD30N06S4L-23 | CS7N80F | SE85130GA

 

 
Back to Top

 


 
.