Справочник MOSFET. .8205P

 

.8205P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: .8205P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.68 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 98 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6
 

 Аналог (замена) для .8205P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

.8205P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:287K  cn shenzhen fuman elec
.8205s .8205p.pdfpdf_icon

.8205P

FINE MADE MICROELECTRONICS GROUP CO., LTD..8205S/P (S&CIC2050) 20V N MOS 2 3 420V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@3.0A = 29mRDS(ON), Vgs@4.0V, Ids@4.0A = 25mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@4.5A = 22m

 9.1. Size:115K  1
ngd8205n.pdfpdf_icon

.8205P

NGD8205N, NGD8205ANIgnition IGBT20 Amp, 350 Volt, N-Channel DPAKThis Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuresmonolithic circuitry integrating ESD and Overvoltage clampedprotection for use in inductive coil drivers applications. Primary useshttp://onsemi.cominclude Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage andhigh current switching is required

 9.2. Size:233K  toshiba
tpcp8205-h.pdfpdf_icon

.8205P

TPCP8205-HMOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS)TPCP8205-HTPCP8205-HTPCP8205-HTPCP8205-H1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers Mobile Equipments2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small footprint due to a small and thin package(2) High-speed switching(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 20 m

 9.3. Size:289K  toshiba
tpcs8205.pdfpdf_icon

.8205P

TPCS8205 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS II) TPCS8205 Lithium Ion Battery Applications Unit: mmPortable Equipment Applications Notebook PCs Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance: R = 30 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance: |Y | = 10 S (typ.) fs Low leakage current: IDSS = 10

Другие MOSFET... SR3401 , SRX3134K , D2N65 , D4N65 , F10N65 , F12N65 , .8205A , .8205S , 2N60 , 2060K. , 2301P , 2302P , 3050K , 3060K , 3080K , 3090K , 3415E .

History: R6030ENZ1 | JFPC11N50C | FDMA86551L | SRC65R230BS | SW3N10 | SSF10N60F | SM1A20NSU

 

 
Back to Top

 


 
.