Справочник MOSFET. 3090K

 

3090K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 3090K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 84 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 90 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 45 nC
   Время нарастания (tr): 36 ns
   Выходная емкость (Cd): 320 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для 3090K

 

 

3090K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:599K  cn shenzhen fuman elec
3090k.pdf

3090K
3090K

FM,FM WWW.SZLCSC.COM,SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUP CO., LTD.3090K(S&CIC1688) N-Channel Trench Power MOSFETGeneral DescriptionThe 3090K uses advanced trench technology to provideexcellent R

 0.1. Size:385K  ncepower
nce3090k.pdf

3090K
3090K

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE3090KNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3090K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =90A RDS(ON) =4.1m (typical) @ VGS=10V Schematic diagram RDS(ON) =5.9m (typi

 0.2. Size:659K  cn sino-ic
se3090k.pdf

3090K
3090K

SE3090KN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis type used advanced trench technology For a single MOSFETand design to provide excellent RDS(ON) with V = 30VDSlow gate charge. It can be used in a wide R = 4.1m @ V =10VDS(ON) GSvariety of applicationPin configurationsSee Diagram belowTO-252Absolute Maximum RatingsParamete

 0.3. Size:283K  inchange semiconductor
2sk3090k.pdf

3090K
3090K

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3090KFEATURESDrain Current : I = 45A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 30V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 20m(Max)@ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top