6888K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 6888K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 108 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 68 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 78 nC
Время нарастания (tr): 54 ns
Выходная емкость (Cd): 339 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0095 Ohm
Тип корпуса: TO-252
6888K Datasheet (PDF)
..1. Size:1190K cn shenzhen fuman elec
6888k.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
6888k.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
FM,FM WWW.SZLCSC.COM,SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUP CO., LTD.6888K ( 68V N-channel enhancement mode MOSFETS&CIC1741)Features General DescriptionThe 6888K uses advanced trench Extremely
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .