Справочник MOSFET. SC8205

 

SC8205 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SC8205
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 4.4 ns
   Выходная емкость (Cd): 98.48 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8

 Аналог (замена) для SC8205

 

 

SC8205 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:361K  cn shenzhen fuman elec
 sc8205.pdf

SC8205 SC8205

FM,FM WWW.SZLCSC.COM,SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD.5 6SC8205 ( 20V N MOS S&CIC0706)20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETRDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2.0A =

 0.1. Size:328K  cn shenzhen fuman elec
 sc8205s.pdf

SC8205 SC8205

FM,FM WWW.SZLCSC.COM,SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUP CO., LTD.SC8205S (S&CIC0706) 20V N MOS 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET2 3 4RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2.0A

 9.1. Size:93K  st
 msc82001.pdf

SC8205 SC8205

MSC82001RF & MICROWAVE TRANSISTORSGENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS.EMITTER BALLASTED.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.VSWR CAPABILITY @ RATED:1CONDITIONS.HERMETIC STRIPAC PACKAGE.POUT 1.0 W MIN. WITH 7.0 dB GAIN=@ 2.0 GHz.250 2LFL (S010)hermetically sealedORDER CODE BRANDINGMSC82001 82001PIN CONNECTIONDESCRIPTIONThe MSC82001 is a common base hermetic

 9.2. Size:87K  st
 msc82010.pdf

SC8205 SC8205

MSC82010RF & MICROWAVE TRANSISTORSGENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS.EMITTER BALLASTED.VSWR CAPABILITY :1 @ RATEDCONDITIONS.HERMETIC STRIPAC PACKAGE.P 10 W MIN. WITH 5.2 dB GAIN @OUT =2.0 GHz.250 2LFL (S010)hermetically sealedORDER CODE BRANDINGMSC82010 82010PIN CONNECTIONDESCRIPTIONThe MSC82010 is a common base hermeticallysealed silicon NPN microw

 9.3. Size:84K  st
 msc82005.pdf

SC8205 SC8205

MSC82005RF & MICROWAVE TRANSISTORSGENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS.EMITTER BALLASTED.VSWR CAPABILITY :1 @ RATEDCONDITIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.HERMETIC STRIPAC PACKAGE.POUT 5.0 W MIN. WITH 7.0 dB GAIN=@ 2.0 GHz.250 2LFL (S010)hermetically sealedORDER CODE BRANDINGMSC82005 82005PIN CONNECTIONDESCRIPTIONThe MSC82005 is a common base hermeti

 9.4. Size:85K  st
 msc82040.pdf

SC8205 SC8205

MSC82040RF & MICROWAVE TRANSISTORSGENERAL PURPOSE LINEAR APPLICATIONS.EMITTER BALLASTED.CLASS A LINEAR OPERATION.COMMON EMITTER.VSWR CAPABILITY :1 @ RATEDCONDITIONS.ft 1.6 GHz TYPICAL.NOISE FIGURE 15.5 dB @ 2 GHz.230 4L STUD (S027).POUT 27 dBm MIN. @ 1.0 GHz= hermetically sealedORDER CODE BRANDINGMSC82040 82040PIN CONNECTIONDESCRIPTIONThe MSC82040 is a her

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top