Справочник MOSFET. PNM3FD201E0

 

PNM3FD201E0 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PNM3FD201E0
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: DFN1006-3L
 

 Аналог (замена) для PNM3FD201E0

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PNM3FD201E0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:225K  prisemi
 pnm3fd201e0.pdf pdf_icon

PNM3FD201E0

PNM3FD201E0 N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary (V) DS(on) DDS R () I (mA) 0.4@ V =4.0V GSDFN1006-3L(Bottom View) 20 0.5@ V =2.5V 300 GS0.7@ V =1.8V GSG G P2 D D S S Circuit Diagram Marking (Top View) Absolute maximum rating@25

 6.1. Size:269K  prisemi
 pnm3fd20v1e.pdf pdf_icon

PNM3FD201E0

PNM3FD20V1E N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary V (V) R (m) I (A) DS DS(on) DG(1) 200@ V =4.5V GSD(3) S(2) 20 250@ V =2.5V 1 GS310@ V =1.8V GSTop View Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Value Units Drain-Source Voltage V 20

Другие MOSFET... 3080K , 3090K , 3415E , 4080K , 6888K , SC8205 , SC8205S , PDNM6ET20V05 , RU7088R , PNM3FD20V1E , PNM523T30V01 , PNM723T30V01 , PNMT6N1 , PNMT6N1-LB , PNMT6N2 , PNMT8N1 , PPMT2301 .

History: RU40E25L | FDB86363-F085 | RU20C10H | SSP60R070S2E | FDI9406F085 | IXFB110N60P3 | IRFAF30

 

 
Back to Top

 


 
.