PJQ1900. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: PJQ1900
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: DFN3L
Аналог (замена) для PJQ1900
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
PJQ1900 даташит
pjq1900.pdf
PPJQ1900 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET DFN 3L Unit inch(mm) 20 V 1.2 A Voltage Current Features Low Voltage Drive (1.2V). Advanced Trench Process Technology Specially Designed for Switch Load, PWM Application, etc. ESD Protected Lead free in compliance with EU RoHS 2.0 Green molding compound as per IEC 61249 standard Mechanical Data
Другие MOSFET... PJA3415AE , PJA3416AE , PJA3417 , PJA3419 , PJA3439 , PJA3441 , PJA3460 , PJL9418 , IRF3205 , PJQ5476AL , PJS6403 , PJV1702 , PJW4N06A , PJW4N06A-AU , PJW7N06A , PJX8808 , PPJA3401A .
History: AOE6932
History: AOE6932
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent | 2n3569 | 2sd667 | 2sc1111

