Справочник MOSFET. STW55N10

 

STW55N10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STW55N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 180 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 55 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 123 nC
   Время нарастания (tr): 100 ns
   Выходная емкость (Cd): 500 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.027 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для STW55N10

 

 

STW55N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:334K  1
 sth55n10 sth55n10fi stw55n10.pdf

STW55N10 STW55N10

 8.1. Size:268K  st
 stw55ne10.pdf

STW55N10 STW55N10

STW55NE10 N - CHANNEL 100V - 0.021 - 55A - TO247STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW55NE10 100 V

 8.2. Size:350K  st
 stw55nm50n.pdf

STW55N10 STW55N10

STW55NM50NN-channel 500 V, 0.040 , 54 A, MDmesh II Power MOSFETTO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) maxSTW55NM50N 550 V

 8.3. Size:297K  st
 stw55nm60nd.pdf

STW55N10 STW55N10

STW55NM60NDN-channel 600 V - 0.047 - 51 A TO-247FDmesh II Power MOSFET (with fast diode)FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@TJmax) (max)STW55NM60ND 650 V

 8.4. Size:329K  st
 stw55nm60n.pdf

STW55N10 STW55N10

STW55NM60NN-channel 600 V, 0.047 , 51 A, MDmesh II Power MOSFETTO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) maxSTW55NM60N 650 V

Другие MOSFET... STV8NA50 , STW12N60 , STW12NA50 , STW14N50 , STW15N50 , STW15NA50 , STW16N40 , STW20NA50 , IRFZ44N , STW60N10 , STW75N06 , STW80N05 , STW8N80 , STW9NA60 , TA17632 , TA17650 , TA17656 .

 

 
Back to Top