STW55N10 - описание и поиск аналогов

 

STW55N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STW55N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для STW55N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW55N10 даташит

 ..1. Size:334K  1
 sth55n10 sth55n10fi stw55n10.pdf pdf_icon

STW55N10

 8.1. Size:268K  st
 stw55ne10.pdf pdf_icon

STW55N10

STW55NE10 N - CHANNEL 100V - 0.021 - 55A - TO247 STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW55NE10 100 V

 8.2. Size:350K  st
 stw55nm50n.pdf pdf_icon

STW55N10

STW55NM50N N-channel 500 V, 0.040 , 54 A, MDmesh II Power MOSFET TO-247 Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max STW55NM50N 550 V

 8.3. Size:297K  st
 stw55nm60nd.pdf pdf_icon

STW55N10

STW55NM60ND N-channel 600 V - 0.047 - 51 A TO-247 FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) Features VDSS RDS(on) Type ID (@TJmax) (max) STW55NM60ND 650 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STV8NA50 , STW12N60 , STW12NA50 , STW14N50 , STW15N50 , STW15NA50 , STW16N40 , STW20NA50 , IRF3205 , STW60N10 , STW75N06 , STW80N05 , STW8N80 , STW9NA60 , TA17632 , TA17650 , TA17656 .

History: STV7NA60 | STW16N40 | JCS10N70C

 

 

 

 

↑ Back to Top
.