STW55N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STW55N10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 100 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
Тип корпуса: TO247
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STW55N10 Datasheet (PDF)
stw55ne10.pdf
STW55NE10 N - CHANNEL 100V - 0.021 - 55A - TO247STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW55NE10 100 V
stw55nm50n.pdf
STW55NM50NN-channel 500 V, 0.040 , 54 A, MDmesh II Power MOSFETTO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) maxSTW55NM50N 550 V
stw55nm60nd.pdf
STW55NM60NDN-channel 600 V - 0.047 - 51 A TO-247FDmesh II Power MOSFET (with fast diode)FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@TJmax) (max)STW55NM60ND 650 V
Другие MOSFET... STV8NA50 , STW12N60 , STW12NA50 , STW14N50 , STW15N50 , STW15NA50 , STW16N40 , STW20NA50 , IRF3205 , STW60N10 , STW75N06 , STW80N05 , STW8N80 , STW9NA60 , TA17632 , TA17650 , TA17656 .
History: STU70N2LH5 | AT2N60S | HUFA76445S3ST | SM4021NAKP | TPCJ2101 | JCS8N60SC | IXFP18N65X2
History: STU70N2LH5 | AT2N60S | HUFA76445S3ST | SM4021NAKP | TPCJ2101 | JCS8N60SC | IXFP18N65X2
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc1327 | 2sc3855 | 2sc945 transistor equivalent | 2sd427 | mje15032 equivalent | 2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement