Справочник MOSFET. STW55N10

 

STW55N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STW55N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 123 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для STW55N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW55N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:334K  1
 sth55n10 sth55n10fi stw55n10.pdf pdf_icon

STW55N10

 8.1. Size:268K  st
 stw55ne10.pdf pdf_icon

STW55N10

STW55NE10 N - CHANNEL 100V - 0.021 - 55A - TO247STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW55NE10 100 V

 8.2. Size:350K  st
 stw55nm50n.pdf pdf_icon

STW55N10

STW55NM50NN-channel 500 V, 0.040 , 54 A, MDmesh II Power MOSFETTO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) maxSTW55NM50N 550 V

 8.3. Size:297K  st
 stw55nm60nd.pdf pdf_icon

STW55N10

STW55NM60NDN-channel 600 V - 0.047 - 51 A TO-247FDmesh II Power MOSFET (with fast diode)FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@TJmax) (max)STW55NM60ND 650 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.