PPJT7600 - описание и поиск аналогов

 

PPJT7600. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PPJT7600

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

Аналог (замена) для PPJT7600

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PPJT7600 даташит

 ..1. Size:681K  panjit
 ppjt7600.pdf pdf_icon

PPJT7600

PPJT7600 20V Complementary Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-363 Unit inch(mm) Voltage 20 / -20V Current 1 / -0.7A Features Advanced Trench Process Technology Specially Designed for Switch Load, PWM Application, etc. ESD Protected 2KV HBM Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive Green molding compound as per IEC61249 Std.

Другие MOSFET... PJV1702 , PJW4N06A , PJW4N06A-AU , PJW7N06A , PJX8808 , PPJA3401A , PPJD50N10AL , PPJQ5494 , IRLZ44N , PT4407 , PT4606 , PT4953 , PT8810 , PT9435 , PTD12N10 , PTD15N10 , PTD20N06 .

History: IPAN60R650CE | CM20N50F | KHB5D0N50F2 | AGM60P85D | TMD5N50G | 2SK1151L | 2SK3264-01MR

 

 

 

 

↑ Back to Top
.