Справочник MOSFET. PPJT7600

 

PPJT7600 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PPJT7600
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для PPJT7600

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PPJT7600 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:681K  panjit
 ppjt7600.pdf pdf_icon

PPJT7600

PPJT7600 20V Complementary Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-363 Unit: inch(mm) Voltage 20 / -20V Current 1 / -0.7A Features Advanced Trench Process Technology Specially Designed for Switch Load, PWM Application, etc. ESD Protected 2KV HBM Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive Green molding compound as per IEC61249 Std.

Другие MOSFET... PJV1702 , PJW4N06A , PJW4N06A-AU , PJW7N06A , PJX8808 , PPJA3401A , PPJD50N10AL , PPJQ5494 , IRFP260N , PT4407 , PT4606 , PT4953 , PT8810 , PT9435 , PTD12N10 , PTD15N10 , PTD20N06 .

History: NP88N04DHE | TK16A60W5 | AOL1412 | VQ1000P | QM7018AD

 

 
Back to Top

 


 
.