Справочник MOSFET. PTD15N10

 

PTD15N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTD15N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 41 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для PTD15N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTD15N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:555K  cn puolop
 ptd15n10.pdf pdf_icon

PTD15N10

PTD15N10 100V/15A N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures V DS 100 V N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),typ@VGS=10V 78 m Enhancement mode R DS(on),typ@VGS=4.5V 82 m Very low on-resistance @ VGS=4.5 V I D 15 A Fast Switching 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant To-252Maximum ratings, at T j=25 C, unless otherw

Другие MOSFET... PPJQ5494 , PPJT7600 , PT4407 , PT4606 , PT4953 , PT8810 , PT9435 , PTD12N10 , IRFB4227 , PTD20N06 , PTD3004 , PTD3006 , PTD4080B , PTD4N60 , PTD50N06 , PTD60N02 , PTD7N65 .

History: 2SK2603 | HGP115N15S | AP55T10GI-HF | HGB195N15S | SM3331PSQG | SI1555DL | AP9563GM

 

 
Back to Top

 


 
.