PTD15N10 - описание и поиск аналогов

 

PTD15N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PTD15N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 41 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для PTD15N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTD15N10 даташит

 ..1. Size:555K  cn puolop
 ptd15n10.pdf pdf_icon

PTD15N10

PTD15N10 100V/15A N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 100 V N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),typ@VGS=10V 78 m Enhancement mode R DS(on),typ@VGS=4.5V 82 m Very low on-resistance @ VGS=4.5 V I D 15 A Fast Switching 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant To-252 Maximum ratings, at T j=25 C, unless otherw

Другие MOSFET... PPJQ5494 , PPJT7600 , PT4407 , PT4606 , PT4953 , PT8810 , PT9435 , PTD12N10 , 10N60 , PTD20N06 , PTD3004 , PTD3006 , PTD4080B , PTD4N60 , PTD50N06 , PTD60N02 , PTD7N65 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.