PTD4080B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTD4080B  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 192 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTD4080B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTD4080B даташит

 ..1. Size:4314K  cn puolop
 ptd4080b.pdf pdf_icon

PTD4080B

PTD4 08 0B 4 0V/60A N-Channel A dv anced Power MOSFET Features D RDS(on) (Typical 5.5m )@VGS=10V Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150 C) G S D G S TO-252 Absolute Maximum Ratings Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional

Другие IGBT... PT4953, PT8810, PT9435, PTD12N10, PTD15N10, PTD20N06, PTD3004, PTD3006, P55NF06, PTD4N60, PTD50N06, PTD60N02, PTD7N65, PTD80N06, PTF10N65, PTF10HN08, PTY10HN08