Справочник MOSFET. PTD4080B

 

PTD4080B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTD4080B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 192 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для PTD4080B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTD4080B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4314K  cn puolop
 ptd4080b.pdf pdf_icon

PTD4080B

PTD4 08 0B4 0V/60A N-Channel A dv anced Power MOSFETFeaturesD RDS(on) (Typical 5.5m )@VGS=10V Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150C)GSDG STO-252Absolute Maximum RatingsStresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional

Другие MOSFET... PT4953 , PT8810 , PT9435 , PTD12N10 , PTD15N10 , PTD20N06 , PTD3004 , PTD3006 , IRFB4115 , PTD4N60 , PTD50N06 , PTD60N02 , PTD7N65 , PTD80N06 , PTF10N65 , PTF10HN08 , PTY10HN08 .

History: CSFR3N60LP | AP10N4R5S

 

 
Back to Top

 


 
.