Справочник MOSFET. PTD4080B

 

PTD4080B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PTD4080B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 47 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 60 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 37 nC
   Время нарастания (tr): 12 ns
   Выходная емкость (Cd): 192 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.007 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для PTD4080B

 

 

PTD4080B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4314K  cn puolop
 ptd4080b.pdf

PTD4080B PTD4080B

PTD4 08 0B4 0V/60A N-Channel A dv anced Power MOSFETFeaturesD RDS(on) (Typical 5.5m )@VGS=10V Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150C)GSDG STO-252Absolute Maximum RatingsStresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top