PTD4080B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PTD4080B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 192 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: TO252
PTD4080B Datasheet (PDF)
ptd4080b.pdf
PTD4 08 0B 4 0V/60A N-Channel A dv anced Power MOSFET Features D RDS(on) (Typical 5.5m )@VGS=10V Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150 C) G S D G S TO-252 Absolute Maximum Ratings Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional
Другие MOSFET... PT4953 , PT8810 , PT9435 , PTD12N10 , PTD15N10 , PTD20N06 , PTD3004 , PTD3006 , P55NF06 , PTD4N60 , PTD50N06 , PTD60N02 , PTD7N65 , PTD80N06 , PTF10N65 , PTF10HN08 , PTY10HN08 .
History: SVF10N65S | ZVN3320FTC | MTP4N10 | ZVN3306FTA
History: SVF10N65S | ZVN3320FTC | MTP4N10 | ZVN3306FTA
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
Popular searches
2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079 | 2sc1815 equivalent | 2sa1220 | 2sa940


