PTD7N65 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTD7N65  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTD7N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTD7N65 даташит

 ..1. Size:2318K  cn puolop
 ptd7n65.pdf pdf_icon

PTD7N65

PTD7 N65 65 0V/7 A N-Channel A dv anced Power MOSFET Features RDS(on) (Typical 1.0 )@VGS=10V Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150 C) TO 252 Absolute Maximum Ratings Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the

Другие IGBT... PTD15N10, PTD20N06, PTD3004, PTD3006, PTD4080B, PTD4N60, PTD50N06, PTD60N02, IRF630, PTD80N06, PTF10N65, PTF10HN08, PTY10HN08, PTF12N65, PTF13N50, PTF2N65, PTF5N65