STW75N06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STW75N06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 900 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1800 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: TO247
STW75N06 Datasheet (PDF)
stb75n20 stp75n20 stw75n20.pdf
STB75N20STP75N20 - STW75N20N-channel 200V - 0.028 - 75A - D2PAK - TO-220 - TO-247Low gate charge STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB75N20 200V
stw75n60m6.pdf
STW75N60M6DatasheetN-channel 600 V, 32 m typ., 72 A, MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247 packageFeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder codeSTW75N60M6 600 V 36 m 72 A Reduced switching losses3 Lower RDS(on) per area vs previous generation21 Low gate input resistance 100% avalanche testedTO-247 Zener-protectedD(2, TAB)Applications Switchin
stb75nf20 stp75nf20 stw75nf20.pdf
STB75NF20STP75NF20 - STW75NF20N-channel 200V - 0.028 - 75A - D2PAK - TO-220 - TO-247Low gate charge STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB75NF20 200V
stw75nf30.pdf
STW75NF30N-channel 300 V, 0.037 , 60 A, TO-247low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID pWmaxSTW75NF30 300 V
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918