Справочник MOSFET. STW75N06

 

STW75N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STW75N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 130 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 900 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1800 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для STW75N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW75N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:398K  1
 sth75n06 sth75n06fi stw75n06.pdf pdf_icon

STW75N06

 ..2. Size:398K  st
 stw75n06.pdf pdf_icon

STW75N06

 8.1. Size:517K  st
 stb75n20 stp75n20 stw75n20.pdf pdf_icon

STW75N06

STB75N20STP75N20 - STW75N20N-channel 200V - 0.028 - 75A - D2PAK - TO-220 - TO-247Low gate charge STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB75N20 200V

 8.2. Size:535K  st
 stw75n60m6.pdf pdf_icon

STW75N06

STW75N60M6DatasheetN-channel 600 V, 32 m typ., 72 A, MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247 packageFeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder codeSTW75N60M6 600 V 36 m 72 A Reduced switching losses3 Lower RDS(on) per area vs previous generation21 Low gate input resistance 100% avalanche testedTO-247 Zener-protectedD(2, TAB)Applications Switchin

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: AOD434 | MDF4N60TP | IRF1405

 

 
Back to Top

 


 
.