Справочник MOSFET. PTY10HN08

 

PTY10HN08 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTY10HN08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для PTY10HN08

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTY10HN08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3628K  cn puolop
 ptf10hn08 pty10hn08.pdf pdf_icon

PTY10HN08

PTF10HN08/PTY10HN0880V/100A N-Chnnel MOSFETFeaturesD 80V/100ARDS(ON)=6.5m (typ.)@ VGS=10V G Lead free and Green Device Available Low Rds-on to Minimize Conductive LossS High avalanche CurrentD% 100 Avalanche TestedApplicationG SG D S Power SupplyTO-220F TO-263 DC-DC Converters UPS Battery Manageme eAbsolute Maximum Ratings

Другие MOSFET... PTD4080B , PTD4N60 , PTD50N06 , PTD60N02 , PTD7N65 , PTD80N06 , PTF10N65 , PTF10HN08 , 12N60 , PTF12N65 , PTF13N50 , PTF2N65 , PTF5N65 , PTF7N65 , PTF8N65 , PTN3006 , PTN30P03 .

History: BLP02N08-BA | AP2761S-A-HF

 

 
Back to Top

 


 
.