PTY10HN08 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTY10HN08  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTY10HN08

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTY10HN08 даташит

 ..1. Size:3628K  cn puolop
 ptf10hn08 pty10hn08.pdf pdf_icon

PTY10HN08

PTF10HN08/PTY10HN08 80V/100A N-Chnnel MOSFET Features D 80V/100A RDS(ON)=6.5m (typ.)@ VGS=10V G Lead free and Green Device Available Low Rds-on to Minimize Conductive Loss S High avalanche Current D % 100 Avalanche Tested Application G S G D S Power Supply TO-220F TO-263 DC-DC Converters UPS Battery Manageme e Absolute Maximum Ratings

Другие IGBT... PTD4080B, PTD4N60, PTD50N06, PTD60N02, PTD7N65, PTD80N06, PTF10N65, PTF10HN08, STP75NF75, PTF12N65, PTF13N50, PTF2N65, PTF5N65, PTF7N65, PTF8N65, PTN3006, PTN30P03