Справочник MOSFET. PTF8N65

 

PTF8N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTF8N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для PTF8N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTF8N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:6056K  cn puolop
 ptf8n65.pdf pdf_icon

PTF8N65

PTF8 N6565 0V/8 A N-Channel A dv anced Power MOSFETFeatures RDS(on) (Typical 0.9 )@VGS=10V Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150C)G D STO-220FAbsolute Maximum RatingsStresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above t

Другие MOSFET... PTF10N65 , PTF10HN08 , PTY10HN08 , PTF12N65 , PTF13N50 , PTF2N65 , PTF5N65 , PTF7N65 , SPP20N60C3 , PTN3006 , PTN30P03 , PTP10HN10 , PTP12HN06 , PTY12HN06 , PTP4N60 , PTF4N60 , PDB1216E .

History: AP4951GM-HF | CS30N10D | 2SJ550L | BUK7505-30A | STWA57N65M5 | DCC160M120G1 | PSMN4R3-80PS

 

 
Back to Top

 


 
.