PTF8N65 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTF8N65  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTF8N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTF8N65 даташит

 ..1. Size:6056K  cn puolop
 ptf8n65.pdf pdf_icon

PTF8N65

PTF8 N65 65 0V/8 A N-Channel A dv anced Power MOSFET Features RDS(on) (Typical 0.9 )@VGS=10V Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150 C) G D S TO-220F Absolute Maximum Ratings Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above t

Другие IGBT... PTF10N65, PTF10HN08, PTY10HN08, PTF12N65, PTF13N50, PTF2N65, PTF5N65, PTF7N65, K3569, PTN3006, PTN30P03, PTP10HN10, PTP12HN06, PTY12HN06, PTP4N60, PTF4N60, PDB1216E