Справочник MOSFET. PTF8N65

 

PTF8N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTF8N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PTF8N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:6056K  cn puolop
ptf8n65.pdfpdf_icon

PTF8N65

PTF8 N6565 0V/8 A N-Channel A dv anced Power MOSFETFeatures RDS(on) (Typical 0.9 )@VGS=10V Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150C)G D STO-220FAbsolute Maximum RatingsStresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above t

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: PHP24N03LT | STB21N65M5 | STD60NF55L | PDC3964X | FQPF8P10 | HUFA75332G3 | FDV302PD87Z

 

 
Back to Top

 


 
.