Справочник MOSFET. PDC2604Z

 

PDC2604Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PDC2604Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 31.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: PPAK3X3
 

 Аналог (замена) для PDC2604Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDC2604Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:462K  potens
 pdc2604z.pdf pdf_icon

PDC2604Z

20V N-Channel MOSFETs PDC2604Z General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 20V 3.5m 80A advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching Features 20V,80A, RDS(ON) =3.5m@VGS = 10V performance, and withstand high energ

 8.1. Size:1040K  potens
 pdc2603z.pdf pdf_icon

PDC2604Z

20V P-Channel MOSFETs PDC2603Z General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -20V 8m -60A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -20V,-60A, RDS(ON) =8m@VGS = -4.5V performance, and withstand high e

Другие MOSFET... PTP12HN06 , PTY12HN06 , PTP4N60 , PTF4N60 , PDB1216E , PDB3010H , PDC2306Z , PDC2603Z , IRLZ44N , PDC3801R , PDC3803R , PDC3810V , PDC3902X , PDC3903X , PDC3903Z , PDC3904Z , PDC3905Z .

History: SUP90N06-6M0P | HGI090NE6A | SQ2337ES | AP6901GSM-HF | AON7518 | MTP2N90 | 2SK346

 

 
Back to Top

 


 
.