PDC906Z - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PDC906Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 14.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: PPAK3X3
Аналог (замена) для PDC906Z
PDC906Z Datasheet (PDF)
pdc906z.pdf

30V N-Channel MOSFETs PDC906Z General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 30V 6m 60A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 30V,60A, RDS(ON) =6m@VGS = 10V performance, and withstand high energy p
Другие MOSFET... PDC3907Z , PDC3908X , PDC3908Z , PDC3912Z , PDC3960X , PDC3964X , PDC3964Z , PDC8974X , 7N60 , PDD0906 , PDD3906 , PDD3908 , PDD6902 , PDEC2210V , PDH0980 , PDH6902 , PDK3908 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013