PDC906Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PDC906Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11.1 nC
trⓘ - Время нарастания: 14.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: PPAK3X3
PDC906Z Datasheet (PDF)
pdc906z.pdf

30V N-Channel MOSFETs PDC906Z General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 30V 6m 60A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 30V,60A, RDS(ON) =6m@VGS = 10V performance, and withstand high energy p
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: SML901R3AN
History: SML901R3AN



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013