Справочник MOSFET. PDD3908

 

PDD3908 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PDD3908
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для PDD3908

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDD3908 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:497K  potens
 pdd3908.pdf pdf_icon

PDD3908

30V N-Channel MOSFETs PDD3908 General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 30V 9m 55A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 30V,55A, RDS(ON) =9m@VGS = 10V performance, and withstand high energ

 8.1. Size:497K  potens
 pdd3906.pdf pdf_icon

PDD3908

PDD3906 30V N-Channel MOSFETs General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 30V 6m 80A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 30V,80A, RDS(ON) =6m@VGS = 10V performance, and withstand high energ

Другие MOSFET... PDC3912Z , PDC3960X , PDC3964X , PDC3964Z , PDC8974X , PDC906Z , PDD0906 , PDD3906 , CS150N03A8 , PDD6902 , PDEC2210V , PDH0980 , PDH6902 , PDK3908 , PDK6912 , PDN2309S , PDN2311S .

History: 2SK3683-01MR | SVF18NE50PN | AP4800CGM-HF | UTD413 | PE5B1DZ | HGK020N10S | STF28NM50N

 

 
Back to Top

 


 
.