PDH6902 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PDH6902
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 183 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 114 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 58.2 nC
Время нарастания (tr): 56.3 ns
Выходная емкость (Cd): 445 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0045 Ohm
Тип корпуса: TO263
PDH6902 Datasheet (PDF)
pdh6902.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
60V N-Channel MOSFETs PDH6902 General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 60V 4.5m 114A advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching Features performance, and withstand high energy pulse in the 60V,114A, RDS(ON
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .