PTY80N60 - описание и поиск аналогов

 

PTY80N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PTY80N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 365 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для PTY80N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTY80N60 даташит

 ..1. Size:3376K  cn puolop
 ptp80n60 pty80n60.pdf pdf_icon

PTY80N60

PTP80N60/PTY80N60 60V/80A N-Chnnel MOSFET Features D 60V/80A RDS(ON)=7.3m @ VGS=10V G Lead free and Green Device Available Low Rds-on to Minimize Conductive Loss S High avalanche Current % 100 Avalanche Tested D Application G S Power Supply TO-220 TO-263 DC-DC Converters UPS Battery Manageme ent System Absolute Maxim

 8.1. Size:3655K  cn puolop
 ptp80n06 pty80n06.pdf pdf_icon

PTY80N60

PTP80N06/PTY80N06 60V/80A N-Chnnel MOSFET Features D 60V/80A RDS(ON)=7.3m @ VGS=10V G Lead free and Green Device Available Low Rds-on to Minimize Conductive Loss S High avalanche Current % 100 Avalanche Tested D Application G S Power Supply TO-220 TO-263 DC-DC Converters UPS Battery Manageme ent System Absolute Maxim

Другие MOSFET... PDS6910 , PMEB2516P , PMEN2423S , PTP4N65 , PTF4N65 , PTP80N06 , PTY80N06 , PTP80N60 , IRF1404 , PTP88N07 , PTY88N07 , PTP90N08 , PTY90N08 , PTQ45P02 , PTS2017 , PTS4614 , PTS4803 .

History: SI3440DV | BSD223P

 

 

 

 

↑ Back to Top
.