PTY80N60 - аналоги и даташиты транзистора

 

PTY80N60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PTY80N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 365 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для PTY80N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTY80N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3376K  cn puolop
 ptp80n60 pty80n60.pdf pdf_icon

PTY80N60

PTP80N60/PTY80N6060V/80A N-Chnnel MOSFETFeaturesD 60V/80ARDS(ON)=7.3m @ VGS=10V G Lead free and Green Device Available Low Rds-on to Minimize Conductive Loss S High avalanche Current % 100 Avalanche TestedDApplicationG S Power SupplyTO-220 TO-263 DC-DC Converters UPS Battery Manageme ent System Absolute Maxim

 8.1. Size:3655K  cn puolop
 ptp80n06 pty80n06.pdf pdf_icon

PTY80N60

PTP80N06/PTY80N0660V/80A N-Chnnel MOSFETFeaturesD 60V/80ARDS(ON)=7.3m @ VGS=10V G Lead free and Green Device Available Low Rds-on to Minimize Conductive Loss S High avalanche Current % 100 Avalanche TestedDApplicationG S Power SupplyTO-220 TO-263 DC-DC Converters UPS Battery Manageme ent System Absolute Maxim

Другие MOSFET... PDS6910 , PMEB2516P , PMEN2423S , PTP4N65 , PTF4N65 , PTP80N06 , PTY80N06 , PTP80N60 , IRF1404 , PTP88N07 , PTY88N07 , PTP90N08 , PTY90N08 , PTQ45P02 , PTS2017 , PTS4614 , PTS4803 .

History: NTR4170NT1G | NTLJD3115P | STQ1NK60ZR

 

 
Back to Top

 


 
.