PTY90N08 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PTY90N08
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 76 nC
trⓘ - Время нарастания: 64 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: TO263
PTY90N08 Datasheet (PDF)
ptp90n08 pty90n08.pdf
PTP90N08/PTY90N0880V/90A N-Chnnel MOSFETFeaturesD 80V/90ARDS(ON)=6.5m (typ.)@ VGS=10V G Lead free and Green Device Available Low Rds-on to Minimize Conductive LossS High avalanche CurrentD% 100 Avalanche TestedApplicationG SG D S Power SupplyTO-220F TO-263 DC-DC Converters UPS Battery Manageme eAbsolute Maximum Ratings (T
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: STD5NK50Z-1
History: STD5NK50Z-1
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918