Справочник MOSFET. SWF15N65D

 

SWF15N65D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWF15N65D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.72 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SWF15N65D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWF15N65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:742K  samwin
 swf15n65d.pdf pdf_icon

SWF15N65D

SW15N65D N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET TO-220F BVDSS : 650V Features ID : 15A High ruggedness RDS(ON) : 0.57 Low RDS(ON) (Typ 0.57)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 57nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: LED , Charge, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This pow

 ..2. Size:742K  samwin
 sw15n65d swf15n65d.pdf pdf_icon

SWF15N65D

SW15N65D N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET TO-220F BVDSS : 650V Features ID : 15A High ruggedness RDS(ON) : 0.57 Low RDS(ON) (Typ 0.57)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 57nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: LED , Charge, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This pow

 8.1. Size:737K  samwin
 swf15n50.pdf pdf_icon

SWF15N65D

SW15N50 N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET Features TO-220F BVDSS : 500V High ruggedness ID : 15A Low RDS(ON) (Typ 0.26)@VGS=10V RDS(ON) : 0.26 Low Gate Charge (Typ 66nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 Application: DC-DC,LED,PC 2 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSFET is

 8.2. Size:738K  samwin
 swf15n50da.pdf pdf_icon

SWF15N65D

SW15N50DA N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET Features TO-220F BVDSS : 500V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.33)@VGS=10V ID : 15A Low Gate Charge (Typ 57nC) RDS(ON) : 0.33 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 Application: Charger, Adaptor, LED 2 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 This p

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SWF12N65D , SWU12N65D , SWP12N65D , SWB12N65D , SWF12N70D , SWU12N70D , SWMN12N70D , SWY12N70D , IRFZ48N , SWI15P02 , SWD15P02 , SWH15P02 , SWHA15P02 , SWK15P03 , SWH15P03 , SWF16N65D , SWP16N65K .

History: WNM4006 | IRL3705ZSPBF | S2N7002W | IRLU8743PBF | STB20NM60 | SSP80R380S2 | SJMN099R65SW

 

 
Back to Top

 


 
.