Справочник MOSFET. SWT18N50D

 

SWT18N50D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWT18N50D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 311 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для SWT18N50D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWT18N50D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:911K  samwin
 swf18n50d swt18n50d.pdf pdf_icon

SWT18N50D

SW18N50D N-channel Enhanced mode TO-220F /TO-247 MOSFET TO-220F TO-247 BVDSS : 500V Features ID : 18A High ruggedness RDS(ON) : 0.24 Low RDS(ON) (Typ 0.24)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 88nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 1 3 3 Application: LED , Charger, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General

 ..2. Size:652K  samwin
 sw18n50d swf18n50d swt18n50d.pdf pdf_icon

SWT18N50D

SW18N50D N-channel Enhanced mode TO-220F /TO-247 MOSFET TO-220F TO-247 BVDSS : 500V Features ID : 18A High ruggedness RDS(ON) : 0.24 Low RDS(ON) (Typ 0.24)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 88nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 1 3 3 Application: LED , Charge, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General D

 8.1. Size:932K  samwin
 swf18n65d swt18n65d.pdf pdf_icon

SWT18N50D

SW18N65D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-247 MOSFET TO-220F TO-247 BVDSS : 650V Features ID : 18A High ruggedness RDS(ON) : 0.35 Low RDS(ON) (Typ 0.35)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 79nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 3 1 3 Application: LED , Charger, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 Gen

 8.2. Size:621K  samwin
 sw18n65d swf18n65d swt18n65d.pdf pdf_icon

SWT18N50D

SW18N65D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-247 MOSFET TO-220F TO-247 BVDSS : 650V Features ID : 18A High ruggedness RDS(ON) : 0.35 Low RDS(ON) (Typ 0.35)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 79nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 3 1 3 Application: LED , Charge, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 Gene

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SWHA15P02 , SWK15P03 , SWH15P03 , SWF16N65D , SWP16N65K , SWF16N65K , SWB16N65K , SWF18N50D , MMD60R360PRH , SWF18N65D , SWT18N65D , SWF20N60K , SWF20N65K2 , SWK350R06VT , SWI350R06VT , SWD350R06VT , SWT38N65KF .

History: 1H05 | G01N20R | IRF7705 | TJ200F04M3L | IPP114N12N3G | 8680A | IPW60R170CFD7

 

 
Back to Top

 


 
.