SWF18N65D - описание и поиск аналогов

 

SWF18N65D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWF18N65D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 78 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.44 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для SWF18N65D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWF18N65D даташит

 ..1. Size:932K  samwin
 swf18n65d swt18n65d.pdf pdf_icon

SWF18N65D

SW18N65D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-247 MOSFET TO-220F TO-247 BVDSS 650V Features ID 18A High ruggedness RDS(ON) 0.35 Low RDS(ON) (Typ 0.35 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 79nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 3 1 3 Application LED , Charger, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 Gen

 ..2. Size:621K  samwin
 sw18n65d swf18n65d swt18n65d.pdf pdf_icon

SWF18N65D

SW18N65D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-247 MOSFET TO-220F TO-247 BVDSS 650V Features ID 18A High ruggedness RDS(ON) 0.35 Low RDS(ON) (Typ 0.35 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 79nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 3 1 3 Application LED , Charge, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 Gene

 7.1. Size:814K  samwin
 swf18n60d.pdf pdf_icon

SWF18N65D

SW18N60D N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET TO-220F BVDSS 600V Features ID 18A High ruggedness RDS(ON) 0.34 Low RDS(ON) (Typ 0.34 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 79nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application LED , Charger, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This

 8.1. Size:911K  samwin
 swf18n50d swt18n50d.pdf pdf_icon

SWF18N65D

SW18N50D N-channel Enhanced mode TO-220F /TO-247 MOSFET TO-220F TO-247 BVDSS 500V Features ID 18A High ruggedness RDS(ON) 0.24 Low RDS(ON) (Typ 0.24 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 88nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 1 3 3 Application LED , Charger, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SWK15P03 , SWH15P03 , SWF16N65D , SWP16N65K , SWF16N65K , SWB16N65K , SWF18N50D , SWT18N50D , MMIS60R580P , SWT18N65D , SWF20N60K , SWF20N65K2 , SWK350R06VT , SWI350R06VT , SWD350R06VT , SWT38N65KF , SWT47N65K2 .

History: HY1808AP | BSC046N10NS3G | BSC060P03NS3EG

 

 

 

 

↑ Back to Top
.