SWT47N65K2 - описание и поиск аналогов

 

SWT47N65K2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWT47N65K2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 338 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 154 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.072 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для SWT47N65K2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWT47N65K2 даташит

 ..1. Size:810K  samwin
 sw47n65k2 swt47n65k2.pdf pdf_icon

SWT47N65K2

SW47N65K2 N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS 650V Features ID 47A High ruggedness RDS(ON) 56m Low RDS(ON) (Typ 56m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 103nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application LED, UPS, Charge, Servicer 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This p

 ..2. Size:748K  samwin
 swt47n65k2.pdf pdf_icon

SWT47N65K2

SW47N65K2 N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS 650V Features ID 47A High ruggedness RDS(ON) 56m Low RDS(ON) (Typ 56m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 103nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application LED, UPS, Charger, Servicer 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This

 0.1. Size:739K  samwin
 swt47n65k2f.pdf pdf_icon

SWT47N65K2

SW47N65K2F N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET Features TO-247 BVDSS 650V ID 47A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 59m )@VGS=10V RDS(ON) 59m Low Gate Charge (Typ 102nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application Charger, UPS , LED , Servicer 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description Th

 5.1. Size:733K  samwin
 swt47n65k.pdf pdf_icon

SWT47N65K2

SW47N65K N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET Features BVDSS 650V TO-247 ID 47A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 60m )@VGS=10V RDS(ON) 60m Low Gate Charge (Typ 152nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 2 3 Application Charger,LED,PC Power 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SWF18N65D , SWT18N65D , SWF20N60K , SWF20N65K2 , SWK350R06VT , SWI350R06VT , SWD350R06VT , SWT38N65KF , IRF3205 , SWI4N60DC , SWD4N60DC , SWF4N65D , SWN4N65D , SWSI4N65D , SWMI4N65D , SWUI4N65D , SWD4N65D .

History: CEB02N65D | STW9NK90Z | HM10N03D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.