Справочник MOSFET. SWMQI6N70DA

 

SWMQI6N70DA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWMQI6N70DA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для SWMQI6N70DA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWMQI6N70DA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2234K  samwin
sw6n70da swn6n70da swsi6n70da swui6n70da swd6n70da swf6n70da swi6n70da swnx6n70da swp6n70da swqi6n70da swmqi6n70da.pdfpdf_icon

SWMQI6N70DA

SW6N70DAN-channel Enhanced mode TO-251N/S/U/TO-252/TO-220F/TO-251/TO-251NX/TO-220/TO-251Q /TO-251MQ MOSFETTO251N TO251S TO251U TO252 TO220FFeaturesBVDSS : 700Vl High ruggednessID : 6Al Low RDS(ON) (Typ 1.7)1 1 RDS(ON) : 1.71 1 @VGS=10V 2 22 213 3 23 3l Low Gate Charge (Typ 26nC)32l Improved dv/dt Capability TO220 TO251Q TO251NXTO251 TO251MQ l

 ..2. Size:2234K  samwin
swn6n70da swsi6n70da swui6n70da swd6n70da swf6n70da swi6n70da swnx6n70da swp6n70da swqi6n70da swmqi6n70da.pdfpdf_icon

SWMQI6N70DA

SW6N70DAN-channel Enhanced mode TO-251N/S/U/TO-252/TO-220F/TO-251/TO-251NX/TO-220/TO-251Q /TO-251MQ MOSFETTO251N TO251S TO251U TO252 TO220FFeaturesBVDSS : 700Vl High ruggednessID : 6Al Low RDS(ON) (Typ 1.7)1 1 RDS(ON) : 1.71 1 @VGS=10V 2 22 213 3 23 3l Low Gate Charge (Typ 26nC)32l Improved dv/dt Capability TO220 TO251Q TO251NXTO251 TO251MQ l

 9.1. Size:1049K  samwin
swf4n65d swn4n65d swsi4n65d swmi4n65d swui4n65d swd4n65d sws4n65d swb4n65d swp4n65d swmqi4n65d.pdfpdf_icon

SWMQI6N70DA

SW4N65D SW4N65D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-251S/TO-251M/TO-251U/ TO-252/SOT-82/TO-263 /TO-220/TO-251MQ MOSFET Features TO-220F TO-251M TO-251U TO-251N TO-251S BVDSS : 650V High ruggedness ID : 4A Low RDS(ON) (Typ 2)@VGS=10V 1 1 1 1 1 2 2 2 Low Gate Charge (Typ 18nC) 2 RDS(ON) : 2 3 2 3 3 3 3 Improved dv/d

Другие MOSFET... SWSI6N70DA , SWUI6N70DA , SWD6N70DA , SWF6N70DA , SWI6N70DA , SWNX6N70DA , SWP6N70DA , SWQI6N70DA , 2N7000 , SWF6N70K , SWN6N70K , SWD6N70K , SWN6N80D , SWF6N80D , SWD6N80D , SWU6N80D , SWJ6N80D .

History: SD2100 | HFP7N60 | KP778B | SSM9406GM | SSH7N90A | IRLIB9343 | HP8KA1

 

 
Back to Top

 


 
.