Справочник MOSFET. SWMQI6N70DA

 

SWMQI6N70DA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SWMQI6N70DA
   Маркировка: SW6N70DA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 26 nC
   trⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm
   Тип корпуса: TO-251

 Аналог (замена) для SWMQI6N70DA

 

 

SWMQI6N70DA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2234K  samwin
 sw6n70da swn6n70da swsi6n70da swui6n70da swd6n70da swf6n70da swi6n70da swnx6n70da swp6n70da swqi6n70da swmqi6n70da.pdf

SWMQI6N70DA SWMQI6N70DA

SW6N70DAN-channel Enhanced mode TO-251N/S/U/TO-252/TO-220F/TO-251/TO-251NX/TO-220/TO-251Q /TO-251MQ MOSFETTO251N TO251S TO251U TO252 TO220FFeaturesBVDSS : 700Vl High ruggednessID : 6Al Low RDS(ON) (Typ 1.7)1 1 RDS(ON) : 1.71 1 @VGS=10V 2 22 213 3 23 3l Low Gate Charge (Typ 26nC)32l Improved dv/dt Capability TO220 TO251Q TO251NXTO251 TO251MQ l

 ..2. Size:2234K  samwin
 swn6n70da swsi6n70da swui6n70da swd6n70da swf6n70da swi6n70da swnx6n70da swp6n70da swqi6n70da swmqi6n70da.pdf

SWMQI6N70DA SWMQI6N70DA

SW6N70DAN-channel Enhanced mode TO-251N/S/U/TO-252/TO-220F/TO-251/TO-251NX/TO-220/TO-251Q /TO-251MQ MOSFETTO251N TO251S TO251U TO252 TO220FFeaturesBVDSS : 700Vl High ruggednessID : 6Al Low RDS(ON) (Typ 1.7)1 1 RDS(ON) : 1.71 1 @VGS=10V 2 22 213 3 23 3l Low Gate Charge (Typ 26nC)32l Improved dv/dt Capability TO220 TO251Q TO251NXTO251 TO251MQ l

 9.1. Size:1049K  samwin
 swf4n65d swn4n65d swsi4n65d swmi4n65d swui4n65d swd4n65d sws4n65d swb4n65d swp4n65d swmqi4n65d.pdf

SWMQI6N70DA SWMQI6N70DA

SW4N65D SW4N65D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-251S/TO-251M/TO-251U/ TO-252/SOT-82/TO-263 /TO-220/TO-251MQ MOSFET Features TO-220F TO-251M TO-251U TO-251N TO-251S BVDSS : 650V High ruggedness ID : 4A Low RDS(ON) (Typ 2)@VGS=10V 1 1 1 1 1 2 2 2 Low Gate Charge (Typ 18nC) 2 RDS(ON) : 2 3 2 3 3 3 3 Improved dv/d

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top